在去年的閃存峰會上東芝發布了XL-FLASH，這是一種用於低延遲SLC 3D NAND閃存，是用來與三星Z-NAND及英特爾3D XPoint競爭的產品。當時提供的細節很少，而現在東芝已經公佈了更多細節，包括將其推向市場的時間表：下個月開始抽樣，明年開始批量生產。

第一批XL-FLASH部件將使用128Gb裸片，結構上可以分為16層，以支持比現有的面向容量的3D NAND部件更高程度的並行性，頁面大小為4K B，明顯小於大多數3D NAND的容量來得小，再加上XL-FLASH每個單元只存儲一位而不是三位或四位，因此我們預計它會比主流多層NAND的容量要小得多。

性能方面，由於採用了不同的結構，東芝表示讀取延遲將小於5微秒，相比之下，他們的3D TLC約為50微秒。東芝的XL-FLASH和三星的Z-NAND之間最明顯的差異可能最終形成不同的市場取向，三星將自己的Z-NAND用於自己的Z- SSD產品，但東芝的XL-FLASH將與3D TLC和QLC NAND一樣銷售。我們已經從一些SSD控制器供應商處聽說他們計劃在他們即將推出的控制器中支持XL-FLASH，當XL-FLASH開始進入市場時，SSD品牌應該會迅速跟進。

新一屆的閃存峰會將於明天在聖克拉拉拉開帷幕，東芝將首次發表主題演講。