SK海力士表示，該公司將比今年早些時候更加積極地提前削減3D NAND晶圓的產能，並且重新考慮裝配其M15和M16晶圓廠的計劃，以減少企業資本支出。實際上，由於3D NAND存儲器市場出現了供過於求的現象，製造商們不得不減產以穩定價格。比如今年早些時候，SK曾計劃將3D NAND晶圓產量減少10% 。不過本週的最新計劃，已經調整到減產15%（與2018相比）。

（圖自：SK Hynix，via AnandTech）

2019 年2 季度，SK 海力士的NAND 閃存出貨量環比增長了40％，因為該公司增加了72 層3D NAND 的產量。傳統上1 季度需求較緩但總體增長，但與此同時，3D NAND 的均價跌了25％，這也是SK 海力士決定減產的主要原因。

隨著SK 海力士和其它NAND 閃存製造商向更先進的3D NAND 設計過渡—— 層數更多，或啟用3D QLC、每單元比特位密度更高—— 某種程度上就會造成供應過剩，才導致將晶圓削減10-15%，都不足以降低同等容量的產能。

SK海力士目前為數據中心和主流SSD市場生產72層3D NAND，512 Gb 96層3D TLD NAND已於去年11月投產、且該公司計劃很快增加96層3D NAND的產量。

此外，SK 海力士最近開始提高1 Tb“4D”TLC NAND 的產量—— 這種電荷陷阱閃存（CTF）設計，採用了單元外設（PUC）架構，有望顯著提升目前出貨的3D NAND 的比特位密度，並進一步增強產能輸出。

最後，除了減少3D NAND 晶圓的開工數量，SK 海力士還將放慢韓國清州附近M15 工廠的潔淨室空間擴張速度（該工廠可生產DRAM 和3D NAND），並延遲利川附近M16 工廠的設備安裝。

雖然SK 海力士沒有給出詳細的說明，但其表示—— 與2019 年相比，該決定將顯著降低2020 年的資本支出，意味著該工廠的新產能或許不會在明年上線。