在國內三大存儲芯片基地中，紫光旗下的長江存儲主要從事NAND閃存研發、生產，32層堆棧的閃存小規模量產，今年主力生產64層堆棧的，下一代直接進入128層堆棧，2020年追上國際先進水平。DRAM內存技術難度比NADN閃存更大，產值也更高，2017年全球內存產值約為730億美元，NAND閃存約為500億美元。

目前國內從事內存研發、生產的主要是是福建晉華及合肥長鑫，前者投資規模高達370億元，後者投資規模不低於72億美元。

根據長鑫公司之前公佈的計劃，合肥長鑫的一廠廠房已經於2018年1月建設完成，設備也開始安裝。根據計劃，長鑫將於2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。

在日前舉行的GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫DRAM內存的技術來源——已破產的奇夢達公司。

通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過15000片。

朱一明表示長鑫的內存研發是站在巨人肩膀上，儘管如此國內研發DRAM內存依然花費了極大的代價，累計研發費用高達25億美元，建成嚴謹合規的研發體系和獨有技術體系。

長鑫的目標是今年內實現國產內存的大規模生產，目前製造工藝進展順利，已持續投入晶圓超過15000片。