NAND閃存價格從2018年初到現在已經連跌6個季度了，廠商一方面在削減產能以控制供需情況，另一方面也在加強低成本的NAND閃存開發，今年就會開始從TLC閃存向QLC閃存轉變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號稱是首個4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。

對於NAND閃存，大家都知道有SLC、MLC、TLC及QLC之分，每種類型的閃存中存儲的電荷位數分別是1、2、3、4，所以QLC閃存的容量更高，成本更低，不過QLC閃存的電壓控制也更複雜，導致寫入速度變差，可靠性也會降低。

儘管如此，由於QLC閃存在容量、成本上的優勢，三星、美光、東芝、西數、SK Hynix、Intel等公司還是要力推QLC閃存，而且普遍會用於90+堆棧的新一代NAND閃存中。

SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，並取名為4D NAND閃存，相比通常的3D NAND閃存聽上去更先進，主要原因就是SK Hynix首次實現了4D平面，每個NAND核心中的平面數量從2個增加到4個，數據帶寬也從32KB翻倍到了6 4K B，核心容量達到了1Tbit，比目前MLC/TLC主流的256Gbit、512Gbi至少翻倍，可以輕鬆製造出16TB的硬盤。

SK Hynix今天宣布正式出樣96層堆棧的QLC閃存給客戶，SM慧榮等公司已經拿到了QLC閃存樣品，並表示SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。

除了QLC閃存之外，SK Hynix還會開發自己的QLC軟件算法及主控芯片，並及時推出解決方案以滿足客戶需求。