SK海力士無錫二廠竣工:衝擊中國45% DRAM內存市場
近日,韓國DRAM內存芯片巨頭SK海力士宣布,位於江蘇無錫的第二工廠(C2F)已經竣工,產出的第一批晶圓良品率也符合預期,計劃今年5月正式投入量產。SK海力士是江蘇省單體投資規模最大的外企,雙方合作已經超過14年,累計投資額超105億美元。
就在日前,SK海力士剛剛宣布將一方面提高第一代10nm級工藝(1xnm)內存芯片的產能,另一方面今年下半年開始銷售基於第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片。
SK海力士無錫二廠項目2016年12月宣布,2017年10月簽約,2017年6月開工,2018年11月開始設備遷入,總投資達86億美元,其中16億美元用於建設3.3萬平米的新廠房和附屬設施,70億美元用於引入全球最先進的內存芯片生產設備。
作為現有工廠(C2)的延伸項目,新工廠建設週期2017-2026年,全部完成後將成為全球單體投資規模最大、月產能最大、技術最先進的10nm級別工藝內存芯片生產基地,月產能可達18萬塊300毫米晶圓,年銷售額可達33億美元。
目前,SK海力士佔有中國內存芯片市場大約35%的份額,無錫二廠投用後預計可升至超過45%。