在公佈2019年1季度業績的同時，SK海力士也宣布了產能提升的計劃。除了加大初代10nm製造工藝（1x nm）的產量，這家電子巨頭還計劃在今年下半年啟用第二代10nm DRAM製造工藝（又名1Y nm）。這樣的策略，可保障該公司在轉型期內增加DRAM產品的供應，最終為降低成本和推出下一代內存做好準備。

資料圖（來自：SK Hynix，via AnandTech）

據悉，首批採用SK 海力士1Y nm 製造工藝的產品，將是其8Gb DDR4-3200 內存顆粒。與採用1X nm 製程的產品相比，新工藝可讓8Gb DDR4 的芯片尺寸縮小20%、功耗降低15% 。

此外，SK 海力士即將推出的8Gb DDR4-3200 顆粒有兩項重要的改進：4 相時鐘方案、以及Sense 放大器控制技術。

前者可提升信號強度，保障在搞數據傳輸速率下的穩定性；後者降低了晶體管尺寸縮小時，可能發生數據錯誤的可能性。

報導稱，新1Y nm 工藝不僅適用於年內增產的DDR4 產線，也適用於DDR5、LPDDR5、以及GDDR6 DRAM 的製造。有鑑於此，該公司必須盡快提升二代10nm 製造工藝。

實際上，SK 海力士向10nm DRAM 製造工藝轉進的速度，已經遠遠落後於美光和三星，其早就開始出貨第二代10nm 製程的產品。

自2018 年以來，SK 海力士一直掙扎於初代10nm DRAM 的製造，直到最近才有所緩解。讓人鬆口氣的是，該公司終於要在2019 下半年正式出貨第二代10nm DRAM 了。