在本週的國際固態電路會議上，SK海力士詳細披露了自家即將上市的DDR5-6400內存芯片的一些技術細節。該公司的16 Gb DDR5芯片的規模成本，導致其初期成本可能非常高昂。不過每平方毫米DRAM密度的增加，有望讓SK海力士打造出相當經濟的8Gb DDR5 IC 。SK海力士描述道：這款DDR5內存採用了單顆16Gb的存儲顆粒（32 & 8 banks組成），工作電壓1.1V、傳輸速率6400 MT/s 。

EETimes 報導稱，其採用SK 海力士的第二代10nm 工藝製造（1y nm 技術/ 四金屬層），封裝尺寸為76.22 平方毫米。

TechInsights 指出，海力士的8Gb DDR4 內存，使用了第一代21nm 製造工藝，封裝尺寸也是76 平方毫米。不過類似的DDR5 產品，核心尺寸只有53.6 平方毫米。

得益於存儲密度的增加，SK 海力士有望為PC 客戶打造成本相對較低的8Gb DDR5 芯片。此外，DDR5 DRAM 還能夠帶來更高的性能（更高的工作頻率）。

為減少影響高頻工作穩定性的時鐘抖動和占空比失真，SK 海力士必須製作一套新的延遲鎖定環（DLL）方案。該公司的選擇，是採用相位旋轉器和注入鎖定振盪器。

此外，該芯片還配備了可修正的前向反饋均衡（FFE）電路，以及全新的寫入級別訓練方法（同樣支持更高頻的時鐘）。

[編譯自：AnandTech ]