在第39屆納斯達克投資者會議的QA環節，首席工程官、技術、系統架構和客戶集團總裁Murthy Renduchintala也就公司在10nm製程的未來計劃表達了信心，Renduchintala稱公司在2014年設定的晶體管密度和性能目標仍然一樣，也就是說公司首個10nm芯片產品將達到14nm製程芯片的2.7倍密度，這優於三星和台積電的7nm工藝。

在未來7nm製程的計劃方面，Renduchintala透露公司也已經有一個不同的團隊在穩步進行，儘管落後對手，當公司有信心提供更具先進和能效的芯片，儘管尚未透露計劃表，他透露7nm製程將是英特爾首個部署EUV光刻工藝的製程。