NEO Semiconductor最近宣布推出兩項全新的3D X-DRAM單元設計－1T1C和3T0C，可望徹底改變DRAM記憶體的現況。這兩種設計分別採用單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構，預計將於2026年生產概念驗證測試晶片，並將提供比目前普通DRAM模組10倍的容量。

基於NEO的3D X-DRAM技術，新設計的記憶體單元能夠在單一模組上容納512Gb（64GB）的容量，這比目前市面上任何模組至少多出10倍。

在NEO的測試模擬中，這些單元的讀寫速度達到10奈秒，保留時間超過9分鐘，這兩個效能指標都處於目前DRAM能力的前沿。

新設計採用了基於氧化銦鎵鋅（IGZO）的材料，1T1C和3T0C單元可以像3D NAND一樣構建，採用堆疊設計，從而提高容量和吞吐量，同時保持節能狀態。

NEO Semiconductor的執行長Andy Hsu表示：“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我們正在重新定義記憶體技術的可能性。這項創新突破了當今DRAM的擴展限制，使NEO成為下一代記憶體的領導者。”

NEO Semiconductor計劃在本月的IEEE國際記憶體研討會上分享更多關於1T1C、3T0C以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列產品的資訊。