代號Arrow Lake的酷睿Ultra 200S系列已經發布多時，我們終於看到了其內核佈局的細節，包括不同模組的安排、具體的製造工藝和麵積。

Arrow Lake採用了chiplet芯粒設計，分為四個不同模組，都是台積電製造，是第一個幾乎完全採用外部代工的產品。

Compute Tile計算模組：台積電N3B 3nm工藝，面積117.241平方毫米。

GPU Tile核顯模組：台積電N5P 5nm工藝，面積23平方毫米。

SoC Tile系統單元模組：台積電N6 6nm工藝，面積86.648平方毫米。

IO Tile輸入輸出模組：台積電N6 6nm工藝，面積24.475平方毫米。

另外，角落還有兩個填充模組，用於補充與支撐整體結構，方便封裝，面積分別為2.5平方毫米、17.47平方毫米。

所有模組之下是基板(中介層)，Intel 16製程製造，也就是在原有22FFL 22nm基礎上升級而來的(P1227.1B)，面積302.994平方毫米。

這是計算模組的具體佈局，可以看到八個P核、16個E核，其中後者分為四個集群，與P核交錯分佈，都掛在中央的Ring Agent環形總線上。

二級快取每個P核心有3MB，每組四個E核心共享4MB，並分為1.5MB、1.5MB、1MB三個部分，整體合計40MB。

三級快取則是每個P核心、每組E核有3MB，合計36MB。

核顯模組相比於Meteor Lake上的幾乎沒變，還是四個Alchemist架構的Xe-LPG核心，每個核心內部有八組Dual-XVE計算引擎，還分佈著不同規模的一二級快取。

SoC模組較為複雜，包括第三代NPU引擎、DDR5記憶體控制器、媒體引擎、顯示引擎、USB控制器、PCIe 5.0 x4/x12物理層。

IO模組就比較簡單了，服務於雷電4和更多的PCIe，包括兩組PCIe 5.0 x4物理層以及緩衝，PCIe 4.0 x8物理層，雷電4物理層、緩衝、顯示物理層。