台灣正在加強對先進半導體技術和海外投資的控制，這標誌著台灣管理關鍵晶片產業的方式發生了重大轉變。立法院已通過《產業創新條例》修正案，對尖端製程技術的出口以及半導體公司（尤其是台積電）的海外投資實施嚴格的新管控。

新措施的核心是所謂的「N-1」規則，該規則禁止企業出口其最先進的半導體製造技術。相反，只有比國內技術落後至少一代的技術才能在海外工廠部署。

行政院長卓榮泰確認了這項政策，這將直接影響台積電在美國的擴張計劃，並確保該公司的最新創新成果留在台灣境內。

此前，台灣法規並未明確限制先進半導體製造流程的出口。新規載於修訂後的《產業創新條例》第22條，預計2025年底生效。

政府的意圖很明確：面對日益加劇的地緣政治緊張局勢和半導體領域的全球競爭，保持台灣的技術優勢並維護國家安全。

行政院長卓榮泰

台積電目前憑藉其N3P 製程節點引領產業，但其計劃在今年底前開始採用其下一代N2 製程節點生產晶片。展望2026 年底及以後，該公司預計將推出兩款旗艦節點：專為客戶端應用設計的N2P 以及具有先進供電技術以實現高效能運算的A16。

然而，目前還不清楚哪些節點將被歸類為「旗艦」並因此受到出口限制，或者政府是否會在引入更新的技術時同時對多個節點實施禁令。

修正案也授權相關部門在海外投資威脅國家安全、損害經濟發展、違反國際協議或導致勞動爭議無法解決的情況下，有權拒絕或撤銷此類投資。該法現已將這些限制正式化，將其從子法規提升為成文法，並對違規行為規定了明確的處罰措施。

根據修訂後的規定，未經事先批准進行海外投資的公司可能面臨5萬至100萬新台幣（約3.08萬美元）的罰款。重複違規或嚴重違規，例如在獲得批准後未能解決國家安全或經濟發展風險，可能面臨最高1000萬新台幣（約30.8萬美元）的罰款。

雖然這些處罰金額龐大，但不太可能阻止台積電等主要企業，台積電已宣布計劃向其美國業務投資1,650 億美元。

經濟部表示，該法實施日期將待法規進一步修訂後再行確定，預計最快不早於2025年底實施。