傳高通驍龍8 Elite Gen 2的Galaxy獨佔型號將採用三星2nm GAA節點工藝
行業監管機構認為,三星的代工業務因所謂的良率問題而失去了幾位關鍵客戶——這家韓國巨頭似乎正在努力改進目前正在研發的製造工藝,即2納米GAA (又名SF2)。半導體業內人士認為,台積電憑藉其最近完成的2奈米設計試運行仍處於領先地位,但有關價格上漲的傳聞據報道已令一些重要客戶感到不安。
根據Sedaily的一篇新報道,高通已與三星代工廠高層展開談判——半導體行業內部人士聲稱,「驍龍8 Elite第二代產品」是雙方討論的主要議題。此前,這款下一代旗艦移動晶片組曾被傳將採用台積電的3奈米工藝,但新的傳聞指出,該公司可能將分拆出一家採用「更先進的2奈米工藝」的公司——該工藝由三星電子位於華城的頂級工廠「S3 」生產。
Sedaily 和Jukanlosreve 估計,這款尖端晶片將於明年初開始量產。
今天早些時候,Jukanlosreve 透過一篇長篇社群媒體公告補充了更多推測/背景資訊:「預計完成的晶片將整合到定於2026 年下半年推出的三星Galaxy 智慧型手機中。設計工作將於2025 年第二季完成,之後將開始量產準備,晶圓生產將於2026 年第一季開始。片晶圓,該項目僅會利用其可用產能的15% 左右——這表明這只是一筆小額訂單,而非大規模訂單。
這些預測令許多行業觀察家感到意外;三星領導層似乎已試圖在未來的旗艦Galaxy 智慧型手機設備中優先自家 Exynos 行動處理器的設計。 Jukanlosreve 認為,鑑於三星代工廠過去五年業績不佳,該公司渴望抓住任何新的「黃金機會」。
一位不願透露姓名的內部人士認為:“與高通的合作可能為其帶來其他大型科技公司的訂單。” Sedaily 就最新的內部談話向三星總部發出了詢問,一位公司發言人回復道:“我們無法確認任何與客戶訂單相關的信息。”
