在半導體新元素的採用方面，台積電多年來一直是先驅，並經常引領潮流。但現在，該公司似乎將放棄在其A14 製程中使用高數值孔徑EUV 微影設備，而是採用更傳統的0.33 數值孔徑EUV 技術。

這項消息是在數值孔徑技術研討會上透露的，台積電資深副總裁Kevin Zhang在會上宣布了這項進展。由此可以肯定地說，英特爾代工廠和幾家DRAM 製造商現在在「技術」上比台積電更具優勢。

Kevin 表示，台積電將不會使用High NA EUV光刻技術來對A14晶片進行圖案化，該晶片的生產計劃於2028年開始。從2奈米到A14，我們不必使用High NA，但我們可以在處理步驟方面繼續保持類似的複雜性。他指出，每一代技術，我們都盡量減少掩模數量的增加。這對於提供經濟高效的解決方案至關重要。

台積電認為高數值孔徑(NA) 對A14 製程無關緊要的主要原因是，使用相關的光刻工具，這家台灣巨頭的成本可能會比傳統的EUV 方法高出2.5 倍，這最終將使A14 節點的生產成本大大提高，這意味著其在消費產品中的應用將變得困難。這家台灣巨頭依賴晶片設計和產能，但這並不意味著該公司不會在未來的製程中採用高數值孔徑EUV，因為它計劃將其用於A14P 節點。

High NA推高成本的另一個原因是，台積電的A14晶片單層設計需要多個光罩，而使用最新的光刻工具只會提高成本，卻得不到太多好處。相反，透過專注於0.33 NA EUV，台積電可以使用多重曝光技術來保持相同的設計複雜度，而無需High NA EUV的極高精度，最終降低生產成本。

有趣的是，台積電放棄HighNA EUV的決定，確實使其在採用最新工具方面落後於英特爾代工廠等公司，因為據說藍隊將在18A工藝中使用High NA，而該工藝預計最早明年就會推出。由於A14P的目標是在2029年推出，台積電在採用High NA方面將比同行至少晚四年，這項決定可能會讓競爭對手佔據優勢。

ASML 新增三位High NA EUV 客戶

ASML 在其最新的收益電話會議上詳細介紹了其極紫外線(EUV) 光刻系統，強調隨著主要半導體客戶採用該系統，High NA 和低NA 平台都取得了進展。

Fouquet 強調了高數值孔徑EUV 技術的成長勢頭，並指出英特爾已在一個季度內曝光了超過3 萬片晶圓，實現了單層製程步驟的大幅減少——從40 步減少到10 步以下。三星還報告稱，在一個用例中，週期時間縮短了60%。

ASML 於第一季交付了其第五台也是最後一台EXE:5000 高數值孔徑系統，並將於第二季開始交付後續的EXE:5200。客戶目前正處於以研發為重點的第一階段應用，預計將於2026 年至2027 年間進行試生產（第二階段），隨後在先進節點的關鍵層上進行量產（第三階段）。

在低數值孔徑(NA) 方面，ASML 的NXE:3800E 系統現已全面出貨，每小時可生產220 片晶圓，比上一代NXE:3600 快30%。現有系統升級正在進行中，並將持續到2025 年底。 Fouquet 表示，設備成熟度現在支援先進邏輯和記憶體節點的大量生產，無需擔心剩餘NXE:3600 系統的銷售問題。

Dassen 確認，低數值孔徑EUV 的平均售價(ASP) 為2.27 億歐元（2.588 億美元），由於產品組合原因略高於預期範圍。他建議未來混合平均售價接近2.2 億歐元。低數值孔徑系統的毛利率仍高於ASML 的公司平均水平，但具體數字尚未揭露。