在近日舉辦的北美技術論壇上，台積電首次公開了N2 2nm製程的缺陷率(D0)情況，比先前的7nm、5nm、3nm等歷代製程都好的多。台積電沒有給出具體數據，只是比較了幾個製程缺陷率隨時間變化的趨勢。

台積電N2首次引進了GAAFET全環繞晶體管，目前距離大規模量產還有2個季度，也就是要等到年底。

N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。

從試產到量產半年的時間週期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產開始就低得多了，N5/N4情況更好，從試產開始就明顯更低。

N2如果能延續N5/N4的趨勢，前景無疑是非常光明的。

台積電也指出，一種製程的缺陷率能否快速降低，除了取決於本身的設計和技術，還要看製造晶片數量、產能規模，越多越大就越容易發現缺陷並改進。

台積電N2已流片的晶片數量明顯更多，也是其能夠快速降低缺陷率的關鍵原因。