台積電在2025年北美技術研討會上透露，公司預計在今年下半年開始量產N2晶片，這是台積電首個依賴全環繞柵極（GAA）奈米片電晶體的生產技術。目前，台積電N3(即3nm)家族包括已量產的N3、N3E，後續也將推出N3P、N3X、N3A和N3C。

而N2（即2nm）技術是台積電的全新製程技術，稱為奈米片或環繞閘極。 N2將提供全節點效能和功耗優勢，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗提升20%-30%。

N2與目前台積電量產的N3E相比，效能可提高10%-15%，功耗能降低25%-30%，電晶體的密度也可以增加15%。

同時，台積電表示N2的電晶體性能接近目標，256Mb SRAM模組的平均良率也超過90%，隨著N2走向量產，製程成熟度將處於較高水準。台積電也預計，在智慧型手機和高效能運算應用的推動下，2nm技術在前兩年的流片數量將高於3nm和5nm技術。

此外，根據台積電持續改進的策略，該公司還推出了N2P作為N2系列的擴展，N2P是在N2的基礎上又進一步提升了性能和功耗優勢，併計劃於2026年實現投產。

而N2之後將進入A16（即1.6nm）節點。

A16的主要技術特點是其超級電軌架構，也稱為背面供電技術，這種技術將供電網路移至晶圓背面，從而為正面釋放更多佈局空間，提升晶片的邏輯密度和效能。

台積電在研討會上表示，A16相比N2P在相同電壓和設計下，性能可提升8-10%，相同頻率和電晶體數量下功耗下降15-20%；密度提昇在1.07-1.10倍範圍內。

台積電強調了A16最適合用於訊號路由複雜且供電網路密集的特定HPC產品，而A16量產計劃於2026年下半年進行。

台積電最後也表示，N2、N2P、A16及其衍生產品將進一步鞏固他們的技術領先地位，使台積電能夠更好地掌握未來成長機會。