三星將逐步停產HBM2E 轉向HBM3E和HBM4
隨著1y和1z過程8Gb DDR4逐漸停產,三星也將停止其HBM2E產品的生產,目前已進入最後採購階段,接下來將重點轉向HBM3E和HBM4。近年來,隨著人工智慧、高效能運算和PC對高效能記憶體需求的快速成長,HBM記憶體的市場前景廣闊。
但三星在HBM產品開發和銷售上一直落後於SK海力士和美光,為了更好地與競爭對手抗衡,三星需要加快技術迭代,將資源集中到新一代產品上。
三星並非唯一進行產品調整的記憶體巨頭,美光已通知客戶將停止生產伺服器用DDR4記憶體模組,而SK海力士也被傳將減少DDR4的產量,將其生產比例降至20%。
此外,中國內存廠商的崛起也對三星等傳統巨頭構成了壓力,報道稱,中國廠商的激進定價策略已使2023年至2024年間的平均內存價格下降超過60%。
長鑫儲存已量產16奈米DDR5,並計畫在2025年將產能提高到每月18萬片晶圓,目標在2026年切入LPDDR5和車用DRAM市場,未來進軍HBM也只是時間問題。
