市場傳三星電子通知客戶於2025年4月終止1z製程8Gb LPDDR4記憶體生產（End of Life），並要求客戶在6月前完成最後買進訂單，預計最遲於10月前出貨，主要原因是國內手機LPDDR4記憶體晶片訂單轉到本土工廠製造，三星將聚焦LPDDR5以上的高階產品。

對此傳聞，4月22日中午，三星半導體方面對鈦媒體AGI獨家回應稱：不評論業界傳言，生產在按序進行。

據悉，CFM快閃記憶體市場數據顯示，在AI伺服器的強勁需求帶動下，2024年，全球DRAM及NAND快閃記憶體銷售收入創1,670億美元的歷史新高，比上一年漲85.53%，但去年第四季，全球NAND快閃記憶體規模減少8.5%，至174.1億美元。預計2025年，全球儲存市場產值預計僅達到2%的微幅成長。

在DRAM（動態隨機存取記憶體）方面，2024年DRAM市場規模達到970億美元，容量達2,500億Gb，其中，HBM熱潮成為DRAM市場的一大亮點。

CFM快閃記憶體市場預計，到2025年，隨著三星、美光、SK海力士等多家公司的HBM4將量產落地，HBM產品在全部DRAM產業中的佔比將接近30%，市場將達到2880億Gb當量，並且在服務器內存消耗方面，其應用還在持續增長。

財報顯示，2024年，三星電子公司營收300.9兆韓元（約1.52兆元），年增16%；而歸母淨利則飆升至33.6兆韓元（約1,692.43億元），較去年同期成長131%。其中，三星記憶體業務成為主要成長引擎，銷售額達84.5兆韓元，年增91%，HBM及DDR5產品貢獻顯著。

目前，三星主要瞄準中高階DRAM儲存和NAND快閃記憶體晶片市場。根據公開報道，2025年，三星將HBM3E產能提升三倍，並將QLC SSD的市場佔比目標設定為30%，相比2024年的15%大幅提高。同時，公司計畫減少超過20%的傳統DRAM產能，轉向生產LPDDR5x及HBM等高階產品。

今年1月，HBM4記憶體已經準備採用4nm試產，待完成邏輯晶片最終性能驗證後，三星將提供HBM4樣品驗證。

三星電子表示，這一強勁表現得益於對記憶體晶片的強勁需求，包括用於AI 伺服器和固態硬碟（SSD）的記憶體晶片。 “HBM、DDR5等以伺服器為中心的產品銷售擴大，同時公司積極應對生成式AI伺服器用高附加價值產品的需求，使得業績較上季度大幅改善。”

里昂證券(CLSA)分析認為，資料中心和AI 開發需求推動記憶體晶片的平均價格較上一季上漲了15%，這幫助三星最大的部門扭轉了去年同期虧損。美銀預計，三星2025年的HBM3e銷售預計達24億美元，佔HBM總銷售額的34%。