英特爾在2025年VLSI研討會上揭露了更多關於其最新的Intel 18A過程的細節。最新資料顯示，Intel 18A提供了高效能（HP）和高密度（HD）庫，具有全功能的技術設計功能和增強的設計易用性。

在PPA（效能、功耗、面積）比較中，Intel 18A在標準Arm核心架構的晶片上，1.1V電壓下實現了25%的速度提升和36%的功耗降低。

此外，Intel 18A的面積利用率比Intel 3更高，這意味著該過程可以實現更好的面積效率和更高密度設計的潛力。

英特爾官網先前發表的資料顯示，Intel 18A採用了RibbonFET環繞閘極電晶體（GAA）技術，可實現電流的精確控制，同時也率先採用了業界首創的PowerVia背面供電技術。

英特爾也展示了電壓下降圖，描繪了高性能條件下節點的穩定性，由於Intel 18A的PowerVia供電技術，該過程能夠提供更穩定的電力傳輸。

比較顯示，透過背面供電技術，英特爾實現了更緊密的單元封裝，並提高了面積效率，這主要是因為相比正面佈線釋放了更多空間。

從目前揭露的資訊來看，如果良率沒有問題，Intel 18A製程將成為台積電2nm製程的有力競爭者。

市場預計，Intel 18A將首先應用於Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU，預計最早在2026年看到終端產品的出現