日前，復旦大學宣布，時隔2週，繼二維半導體晶片之後，復旦積體電路領域再獲關鍵突破。根據介紹，復旦大學週鵬、劉春森團隊透過建構準二維泊松模型，在理論上預測了超注入現象，打破了現有儲存速度的理論極限，研發「破曉（PoX）」皮秒閃存裝置。

其擦寫速度可提升至亞1奈秒（400皮秒），相當於每秒可執行25億次操作，效能超越同技術節點下世界最快的易失性儲存SRAM技術。

相關成果以《亞納秒超注入快閃記憶體》為題在《自然》期刊上發表。

據了解，這是迄今為止世界上最快的半導體電荷儲存技術，實現了儲存、運算速度相當，在完成規模化整合後有望徹底顛覆現有的記憶體架構。

在該技術基礎上，未來的個人電腦將不存在記憶體和外存的概念，無需分層存儲，還能實現AI大模型的本地部署。

團隊將「破曉」與CMOS結合，以此打造出的Kb級晶片目前已成功流片，下一步，計劃在3-5年將其整合到幾十兆的水平，屆時可授權給企業進行產業化。