根據韓國媒體通報，三星電子已於本月初在其華城園區引進首台ASML生產的High-NA EUV光刻機－EXE:5000，價值高達5,000億韓元（約24.88億元）。 ASML是目前全球唯一能夠提供此類設備的供應商，其透過增大透鏡和反射鏡尺寸，將數值孔徑（NA）從0.33提升至0.55，顯著提高了光刻精度，是2nm及以下製程的必備工具。

與現有EUV設備相比，High-NA EUV能夠實現更窄的電路線寬，進而降低功耗並提升資料處理速度。

三星電子計畫在完成設備安裝後，全面建構2nm製程生態系統，三星晶圓代工業務部負責人強調，儘管公司在GAA製程轉換上領先，但在商業化方面仍需加速，2nm製程的快速量產是其首要任務。

TrendForce數據顯示，三星在2023年第四季全球晶圓代工市場排名第二，但營收季減1.4%，市佔率僅8.1%。

相較之下，台積電以67%的市佔率維持領先地位，此次引進High-NA EUV光刻機，三星可望加速其在先進製程上的商業化進程。