近日，儲存大廠美光正式發布1γ（gamma）10nm級DRAM內存之後，已經開始向Intel、AMD等客戶交付1γ DDR5內存的樣品，成為存儲行業第一家達成這一里程碑的企業。

據報導，在交付的1γ DDR5內存的樣品中，美光僅使用了一層EUV極紫外光刻，目的是透過減少EUV的使用，來加速量產先進製程內存，並降低成本投入。

值得一提的是，DRAM記憶體產業的節點製程一直不標註具體nm數值，而是1a、1b、1c，或1α、1β、1γ這樣的迭代順序，其中1a比較接近20nm，1γ則接近10nm。

1γ內存這是美光內存第一次用上EUV極紫外光刻製程。相較美光，三星、SK海力士在記憶體技術發展上則更依賴EUV。 三星自2020年起在DRAM記憶體生產中採用EUV，並計畫在其第6代1c的10nm級DRAM記憶體中採用超過5個EUV光刻層。

而SK海力士也在2021年導入EUV光刻技術，並計畫在下一代1c的10nm級DRAM中採用類似策略。

根據美光的說法，先前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM節點的領先優勢，1γ DRAM節點的這一新里程碑將推動從雲端、工業、消費應用到端側AI設備（如AI PC、智慧型手機和汽車）等未來運算平台的創新發展。

美光1γ DRAM節點將首先應用於其16Gb DDR5內存，並計劃逐步整合至美光內存產品組合中。

其中，16Gb DDR5記憶體的資料傳輸速率可達9200MT/s（4600MHz x 2），與前代產品相比，速率提升高達15%，功耗降低超過20%。單片晶圓的容量密度產出較上一代提升30%以上。

目前，AMD、Intel均已開始對1γ記憶體的技術驗證。

AMD伺服器平台解決方案工程部門企業副總裁Amit Goel表示：「我們很高興看到美光在1γ DRAM 節點方面取得的進展，並已開展對美光1γ DDR5 記憶體的驗證工作。

我們致力於透過新一代AMD EPYC（霄龍）資料中心產品以及全系列消費級處理器，持續推動運算生態系統的發展，因此與美光的緊密合作至關重要。 」

Intel記憶體與IO技術副總裁兼總經理Dimitrios Ziakas博士表示：「美光1γ節點的進步為Intel伺服器和AI PC帶來了顯著的功耗及容量優化。我們很高興看到美光在DRAM 技術方面的持續創新，並期待基於這些優勢進一步提升伺服器系統的效能和PC的續航。

Intel正在透過其嚴格的伺服器驗證流程，對美光1γ DDR5記憶體樣品進行驗證，從而為我們的客戶提供高品質、體驗一流的伺服器系統。 」