中國廠商向三星授權儲存關鍵技術專利，這一幕真是讓人感嘆。先前韓國媒體報道稱，三星電子近日與中國儲存晶片廠商長江儲存簽署了專利授權協議，將從後者獲得3D NAND「混合鍵合」專利，該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術。

這引發了外界的熱議，為什麼在儲存上遙遙領先的三星，要獲得長江的授權呢？

有業者表示，由於製程問題，三星難以規避中國企業的專利，取得授權是必然，未來的競爭可能會非常激烈。

三星此次取得長江儲存專利授權，將主要用於下一代（V10）快閃記憶體晶片開發上，這代晶片計畫於今年下半年量產，堆疊層數將達到420層-430層。

為了讓V10晶片盡快量產，三星引入了多項新技術，晶圓和晶圓之間的混合鍵合「至關重要」。

三星之所以這麼看重這項技術，是因為「混合鍵合」技術省去了傳統晶片連接所需的凸塊，縮短了電路，並提高了儲存性能和散熱特性，「特別是晶圓之間的混合鍵合，它鍵合的是整個晶圓而不是晶片，在提高生產效率方面也具有優勢」。