半導體研究機構TechInsights、SemiWiki公佈了台積電N2 2nm級別、Intel 18A 1.8nm級別兩大尖端工藝的諸多細節，並進行了正面對比，發現各有優勢。但需要先強調，因為目前官方資料還不全，不同廠商的工藝各有特色，很難直接比較優劣，所以本文僅供參考，實際表現取決於具體產品。

Intel 18A官方稱進展順利，將在今年下半年投入量產，首款產品代號Panther Lake，主要面向筆記本行動端。

台積電N2也將在今年下半年大規模量產，首發客戶還是蘋果，AMD Zen6預計也會使用。

根據研究，台積電N2的高密度標準單元(HD standard-cell)電晶體密度為每平方毫米3.13億個，超過Intel 18A的每平方毫米2.38億個、三星SF2(原名SF3P)的每平方毫米2.31億個。

當然，這裡說的只是依照標準單元電晶體的統計，但在實際應用中，不同製程節點有自己的特殊設計，例如台積電的FinFlex、NanoFlex，不同產品更會使用不同的電晶體單元，包括高密度(HD)、高效能(HP)、低功耗(LP)。

效能方面，TechInsights相信，Intel 18A比較台積電N2、三星SF2都有優勢，不過這個也取決於特定產品。

TechInsights的計算方法也存在疑問，因為他是以台積電N16FF 16nm、三星14nm作為基準，按照各自宣布的提升幅度，計算而來的，肯定存在偏差。

另外，Intel 18A製程引進了PowerVia背部供電技術，可以大幅提升電晶體密度和性能，台積電N2是沒有的。

耗電量方面，TechInsights分析認為，台積電N2要比三星SF2更省電，而能源效率也是台積電的一貫優勢。

至於Intel方面，還需要觀察，相信不會太差。