根據韓國媒體通報，長鑫儲存（CXMT）正在加速開發下一代DRAM技術，並未按原計劃為首款商用DDR5產品採用的17nm，而是直接採用了16nm製程技術。下一代15nm製程技術也在現有製程上進行開發中，目標是在2025年內開發出該技術，最快在2026年下半年就能達成商業化的目標。

長鑫儲存先前主要生產採用17-18nm製程的DDR4、LPDDR4X等成熟產品，2024年11月，該公司首次發布了LPDDR5產品，並在2025年稍早成功實現了DDR5的商業化目標。

長鑫儲存對此DDR5採用的製程技術一直充滿信心，如今事實證明，其下一代製程開發速度比原計畫更快。

研究機構TechInsights表示，長鑫儲存在完成17nm製程技術開發後，緊接著完成了16nm製程技術的開發，因此首款商用DDR5產品採用了16nm製程技術。

此外，長鑫儲存原計畫發展15nm製程技術，但受美國加強先進半導體製造設備出口限制影響，無法引進EUV先進製造設備，導致計畫暫時放緩。

不過隨著技術開發的成熟，預計長鑫儲存利用現有設備也足以開發和量產下一代流程，畢竟美光的13nm DRAM製程技術也沒有採用使用EUV。