長江儲存已出貨DDR5-6000套件中的16奈米G4 DDR5 DRAM
TechInsights 在光威DDR-6000 UDIMM 模組中發現了CXMT 的新型16 nm DRAM 晶片,證實了中國記憶體產業的進步。 CXMT 16 Gb DDR5 晶片尺寸為67 平方毫米,密度為每平方毫米0.239 Gb。 DRAM 單元比CXMT 之前的G3 代小20%。
這是該公司從23 nm (G1) 和18 nm (G2) 節點發展而來。儘管取得了這一進步,但CXMT 在製造能力方面仍落後三星、SK 海力士和美光約三年。這家總部位於合肥的公司在美國制裁限制某些製造設備和材料的使用的情況下實現了這一生產里程碑。

TechInsights 在市售記憶體模組中發現了這些晶片,證實CXMT 已進入DDR5 量產領域。預計到2027 年,DDR5 技術將成為主要的DRAM 標準。三大DRAM 製造商已經生產了多代DDR5,DDR5 現在的速度已達到10000 MT/s。
這是CXMT 首款進入消費市場的DDR5 DRAM 產品。這些晶片滿足當前DDR5 規範的基本相容性要求,這意味著中國記憶體製造業已在其本土實現了「1z」記憶體製造。這是中國半導體產業的第二則重大新聞,此前TechInsights 也證實長江儲存已開始出貨292 層NAND 快閃記憶體。
