日本Rapidus工廠擴建計畫包括安裝十台EUV光刻機
日本Nikkan Kogyo Shimbun(日刊工業新聞)報道說,Rapidus 將在兩個尖端半導體生產基地安裝總共十台”極紫外線(EUV)曝光工具”。這意味著日本政府推動半導體產業的力道再度加強,目標是讓Rapidus 趕超台積電等公司。

其2 nm 級製程節點將於2027 年在目前正在建設中的”創新整合製造一號”(IIM-1)工廠投入運作。去年12 月日本迎來了第一台ASML NXE:3800E EUV 微影機,這標誌著該技術在日本的首次部署。
《日報工業新聞》的報導援引了Rapidus 首席執行官小池淳義的講話,根據這位老闆的說法,10 台新機器將分佈在兩個製造工廠:上述的IIM-1 和IIM-2。第二個工廠預計將在IIM-1 建成後不久投入使用。
目前尚不清楚代工廠是否會安裝更多的ASML NXE:3800E 光刻機,也沒有透露確切的時間框架。 《日經新聞》的一篇較早的文章指出,將於4 月(2025 年)左右在Rapidus 的晶圓廠開始試運行,採用2 奈米一代全柵極(GAA) 技術。根據推測的時間表,首批樣品將於今年年中運往美國博通公司(Broadcom)。
