上個月有報導稱，三星選擇在其平澤P4工廠建造1cnm製程的DRAM生產線，已開始向Lam Research等合作夥伴訂購設備，為HBM4的量產鋪路。 1cnm屬於第六代10nm級工藝，路線寬約11-12nm，預計今年進入商業化生產，三星打算用於生產HBM4的DRAM晶片。

根據Notebookcheck報道，三星已完成了HBM4的邏輯晶片開發工作，並啟動了4nm試生產工作（用於HBM4的基礎裸片），標誌著向2025年下半年量產邁出了一大步。在過去一段時間裡，三星明顯加快了HBM4的開發步伐，比原計劃提前了大約半年，以便爭取英偉達這類關鍵客戶的訂單，預計將用於下一代Rubin架構GPU，預計2026年上市。除了英偉達外，三星還將目光投向了微軟和Meta的新一代客製化晶片。

先前三星在ISSCC 2024上分享了一些技術細節，顯示HBM4將提供龐大的效能提升，資料傳輸速率高達2TB/s，比HBM3E快了約66%。同時也將支援6.4GT/s的介面運行速度，介面位寬為2048位，最大提供48GB容量也比目前一代產品提升了約33%。三星也與台積電達成協議，共同開發HBM4，這也是雙方首次在人工智慧（AI）晶片領域展開合作。

除了HBM4客製化工作外，三星還將專注於整合AI運算能力和特定資料處理功能，以滿足不斷變化的需求。傳聞三星可能選擇轉向PIM技術，讓記憶體晶片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。這種做法可以將處理操作轉移到HBM本身，從而減輕了記憶體與一般處理器之間轉移資料的負擔。