半導體巨頭英飛凌科技近日宣布，該公司已成功研發出全球首款300毫米（約12吋）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術。與現有的200毫米晶圓相比，300毫米晶圓技術意味著在單一晶圓上可以製造更多的晶片，從而提高了生產效率和規模經濟。

這項技術進步不僅能夠增加每晶圓的晶片產量，達到2.3倍，同時也有助於降低生產成本，使得氮化鎵技術更加經濟高效。

氮化鎵功率半導體因其在效率、尺寸和重量方面的優勢，在工業、汽車、消費性電子、計算和通訊應用中得到快速採用。

據悉，英飛凌將在2024年11月在慕尼黑舉行的電子展上展示其300毫米GaN技術。

該公司已經在奧地利菲拉赫的功率工廠成功製造了300毫米GaN晶圓，並計劃根據市場需求進一步擴大產能。

英飛凌科技股份公司執行長Jochen Hanebeck表示：「這項顯著的成功是我們創新實力和全球團隊專注工作的結果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統創新領導者的地位。這項技術突破將改變行業遊戲規則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。