據報道，三星與台積電的合作將提供英偉達和Google等客戶要求的「客製化晶片和服務」。與現有型號相比，無緩衝HBM4的能源效率將提高40%，延遲可降低10%。 9月9日消息，根據《韓國經濟日報》報道，台積電生態系統和聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin上週在Semicon Taiwan 2024 論壇上表示，三星和台積電正在聯手生產無緩衝高頻寬記憶體（HBM）。

報道稱，三星與台積電的合作將提供英偉達（NVIDIA）和Google（Google） 等客戶要求的「客製化晶片和服務」。

與現有型號相比，無緩衝HBM4 的能源效率將提高40%，延遲可降低10%。 HBM 已被廣泛用於AI 計算。

雖然在邏輯製程代工方面，三星是台積電的競爭對手，但台積電並不生產DRAM。然而，在AI 處理器協作中採用多晶粒封裝或所謂的「Chiplet」小晶片先進封裝的情況正在增加，其中就包括HBM。

而當HBM進入到新一代的HBM4時，會採用基於邏輯製程的基礎晶片，使得客戶可以加入自己的IP，以實現客製化，提升HBM的效率。而對於此邏輯製程的基礎晶片，三星和SK海力士都將允許客戶自行設計，並可選擇外部的邏輯製程晶圓代工廠來生產。

消息人士也表示，雖然三星能夠提供全面的HBM4 製造服務，包括記憶體生產、（邏輯製程基礎晶片）代工和先進封裝，但它希望利用台積電的技術來獲得更多客戶。

此舉是三星可能將是試圖反擊競爭對手SK 海力士的一個舉措，後者以53% 的標價成為領先的HBM 供應商，而三星只有35%。

值得注意的是，SK 海力士、三星和美光都在推出HBM3E DRAM，並計劃在2025 年推出HBM4 格式。 SK 海力士最近宣布，它打算開發下一代HBM，性能將是目前產品的20-30倍，並可提供客戶客製化的產品。