據報道，三星電子正與台積電合作開發下一代高頻寬記憶體HBM4人工智慧（AI）晶片，以加強其在快速成長的AI晶片市場的地位。在Semicon Taiwan 2024論壇上，台積電生態系統和聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin表示，兩家公司正在開發無緩衝的HBM4晶片。

HBM對AI熱潮至關重要，它比傳統記憶體晶片提供了更快的處理速度。

HBM4是第六代HBM晶片，三星、SK海力士和美光科技等主要儲存製造商計劃最快明年為包括英偉達在內的AI晶片廠商大規模生產。

分析師表示，如果三星和台積電合作開發無緩衝HBM4晶片，這將是雙方在AI晶片領域的首次合作。在代工或合約晶片製造領域，三星是第二大廠商，與規模更大的競爭對手台積電激烈競爭。

業界官員表示，無緩衝HBM4的能源效率比現有型號高40%，延遲比現有型號低10%。

Dan Kochpatcharin表示，隨著記憶體製造過程變得越來越複雜，合作「變得比以往任何時候都更加重要」。

三星將於2025年量產HBM4。消息人士稱，三星與台積電的合作將從尖端的第六代HBM4晶片開始，這家韓國公司計劃在明年下半年開始量產該晶片。雖然三星能夠提供全面的HBM4服務，包括記憶體生產、代工和先進封裝，但它希望利用台積電的技術來獲得更多客戶。

市場研究公司TrendForce的數據顯示，三星佔有HBM市場35%的市佔率。為鞏固HBM領導地位，未從事代工業務的SK海力​​士於今年4月宣布與台積電合作生產HBM4晶片，計劃在2026年量產。