台積電先前已公佈路線圖與最新進展，A16（1.6nm）製程工藝預計將於2026年下半年量產，將搭載先進的背面供電（Backside Power Delivery）技術，台積電稱其為「超級供電軌」（ Super Power Rail），可以提升晶片能效表現。

根據台灣業界消息，台積電並沒有為A16過程準備High-NA（高數值孔徑）EUV光刻機，而是準備採用現有EUV光刻機生產。相較之下，英特爾、三星都將在這一節點使用最新的High-NA EUV光刻機。

關於背面供電技術，英特爾原本計劃在20A（2nm）製程導入，稱其為“Power Via”，但後來決定推遲至14A製程採用。三星同樣開發了類似的背面供電技術BSPDN，根據早期消息，三星代工部門首席技術官Jung Ki-tae曾宣布將於2027年將背面供電技術用於1.4nm製程。

目前英特爾已經收到了ASML首台High-NA EUV微影機，並完成組裝。業界認為，台積電選擇在這時推出A16過程，為英特爾與三星帶來了競爭壓力。雖然英特爾在High-NA EUV設備上搶先一步，但能否趕上台積電的商業化進度還有待觀察。

台積電決定在A16程沿用常規EUV光刻機，也展現了其技術實力，可以在不採用最新設備的情況下，將現有EUV設備的分辨率推進到1.3nm以下。事實上，去年台積電就成功通過調整光阻材料、光掩模製程等方式，在提升先進製程的臨界尺寸與圖形精度的同時，也降低了缺陷密度。

台灣分析師表示，台積電、英特爾、三星之間的競爭將進一步刺激EUV微影機的需求，尤其是獨家供應商ASML。考慮到High-NA EUV設備產能有限，如何在三大晶圓代工巨頭之間分配，勢必成為一大挑戰。