三星宣布，3nm晶片順利流片，為晶片的大規模量產做好了準備。據悉，三星與Synopsys公司合作，雙方對整個晶片製造流程進行微調，以最大限度地提升晶片良率。這是三星第一款3nm晶片，它採用Gate All Around（GAA）工藝，三星GAA設計稱為MCBFET，即多通道橋式FET。

三星稱，與傳統3nm晶片相比，自家3nm GAA設計的產品功率損耗可降低50%，性能也將得到改善，與之前的4nm FinFET製程相比，能源效率和密度有著20%至30%的提升。

按照計劃，三星接下來會大規模生產下一代Soc，這顆晶片應該是傳聞中的Exynos 2500，Galaxy S25系列將會首發搭載，其性能對標高通驍龍8 Gen4以及聯發科天瑩9400，後兩款晶片則是採用台積電3nm製程。

除了旗艦手機，三星自家的Galaxy Watch 7系列智慧手錶也有可能搭載3nm晶片。