三星在其最新財報中提供了有關其數據中心產品組合的最新信息，確認下一代HBM3E、DDR5 和V-NAND 將於第二季度推出。這家韓國巨頭報告說，它正在見證人工智慧領域的創紀錄成長，並將在這一領域推出多條新產品線。

首先，三星已開始量產其HBM3E”Shinebolt”內存，本月將首先出貨8-Hi 堆棧，隨後將在第二季度推出12-Hi 變體。下一代記憶體解決方案將在8 模組晶片（如AMD 的MI300X）上提供每個堆疊36 GB 的容量，最高可達288 GB 的產品。

據報道，AMD 已經與三星代工廠簽訂了協議，後者將提供HBM3E DRAM，用於現有和下一代產品，如更新的MI350/MI370 GPU，據說這些產品的記憶體容量都會增加。

在DDR5 DRAM 方面，三星將於2024 年第二季推出1b(nm) 32 Gb 記憶體模組，並投入量產。這些記憶體IC 將用於開發高達128 GB 的模組。三星已經向客戶交付了下一代DDR5 解決方案的首批樣品。

最後，三星將在固態硬碟V-NAND 領域推出64 TB 資料中心固態硬碟。這些固態硬碟將於2024 年第二季向客戶提供樣品，該公司也預計將於第三季開始量產第9 代V-NAND 固態硬碟。第9 代V-NAND 固態硬碟將採用QLC（四層單元）設計。有報導稱， TLC V-NAND（第9 代）將於本月開始生產，其傳輸速度將提高33%，達到3200 MT/s。這些固態硬碟將採用最新的PCIe Gen5 標準。