SK hynix 今天宣布，該公司最近與台積電簽署了一份諒解備忘錄，雙方將合作生產下一代HBM，並透過先進的封裝技術提高邏輯和HBM 的整合度。該公司計劃透過此舉措著手開發HBM4，即HBM 系列的第六代產品，預計將於2026 年量產。

SK hynix 表示，與全球頂級代工廠台積電的合作將帶來更多的HBM 技術創新。透過產品設計、代工廠和記憶體供應商之間的三方合作，此次合作可望在記憶體效能方面實現突破。兩家公司將首先致力於提高安裝在HBM 封裝最底部的基礎晶片的效能。 HBM 是在採用TSV 技術的基底晶片上堆疊核心DRAM 晶片，並透過TSV 將DRAM 堆疊中的固定層數與核心晶片垂直連接成HBM 封裝。位於底部的基礎晶片連接到GPU，由GPU 控制HBM。

SK hynix 採用專有技術製造HBM3E 以下的基礎晶片，但計劃在HBM4 的基礎晶片上採用台積電的先進邏輯工藝，這樣就可以在有限的空間內封裝更多的功能。這也有助於SK hynix 生產客製化的HBM，滿足客戶對性能和能源效率的需求。

SK hynix和台積電也同意合作優化SK hynix的HBM和台積電的CoWoS技術的整合，同時合作應對客戶在HBM方面的共同要求。

K hynix 總裁兼AI Infra 負責人Justin Kim 表示：”我們期待與台積電建立強大的合作夥伴關係，幫助我們加快與客戶的開放式合作，並開發出業界性能最佳的HBM4。有了這次合作，我們將透過增強在客製化記憶體平台領域的競爭力，進一步鞏固我們作為全面人工智慧記憶體供應商的市場領導地位。

“多年來，台積電和SK hynix 已經建立了牢固的合作夥伴關係。多年來，台積電與SK hynix已經建立了穩固的合作關係，我們共同致力於整合最先進的邏輯和最先進的HBM，提供全球領先的人工智慧解決方案。