ASML 週三表示，它已開始向另一家客戶運送其第二套高數值孔徑EUV 微影系統。這項公告凸顯了領先晶片製造商對下一代極紫外線（EUV）光刻技術的濃厚興趣。同時，目前尚不清楚ASML 的哪一家客戶是第二家獲得具有0.55 數值孔徑投影光學的EUV 工具的公司。

ASML 首席商務官Christophe Fouquet 在該公司與分析師和投資者舉行的財報電話會議上表示：「關於High-NA（即0.55 NA EUV），我們向客戶交付了第一個系統，該系統目前正在安裝中。

ASML 於2023 年底開始向英特爾交付首款高數值孔徑EUV 微影工具－Twinscan EXE:5000。英特爾將使用該系統來學習如何使用此類機器，並將將該系統與英特爾一起投入14A 製造流程的大規模生產。這還需要幾年時間。透過儘早開始研究基於高數值孔徑EUV 的製程技術，英特爾將能夠制定下一代光刻的行業標準，這有望在未來幾年成為競爭優勢。

ASML方面表示：「在2 月的SPIE 產業會議上，我們首次宣布了位於Veldhoven 的ASML-Imec High-NA 聯合實驗室中的High-NA 系統的亮相。」 「此後，我們獲得了第一張圖片，分辨率低於10 奈米，創下了新紀錄，並預計在未來幾週內開始曝光晶圓。

雖然台積電和Rapidus似乎並不急於採用高數值孔徑EUV光刻系統進行量產，但他們仍然必須在未來的某個時候這樣做，這就是為什麼ASML對這項技術的未來持樂觀態度。事實上，全球最大的晶圓廠工具製造商正在探索Hyper-NA、EUV 微影工具，其投影光學元件的數值孔徑高於0.7。

「客戶對我們的[高數值孔徑] 系統實驗室的興趣很高，因為該系統將幫助我們的邏輯和記憶體客戶為將高NA 插入他們的路線圖做好準備，」Fouquet 說。 「相對於0.33 NA，0.55 NA 系統提供了更精細的分辨率，在相似的生產率下，電晶體密度幾乎增加了3 倍，支援低於2 奈米的邏輯和低於10 奈米的DRAM 節點。”

近日，ASML 宣布其首款具有0.55 數值孔徑( High-NA ) 投影光學元件的極紫外線(EUV) 微影工具已列印出第一個圖案。這項公告對於ASML 和高數值孔徑EUV 微影技術來說都是一個重要的里程碑。

ASML 在一份聲明中寫道：「我們位於Veldhoven 的高數值孔徑EUV 系統列印了有史以來第一條10 奈米密集線。」「成像是在光學元件、感測器和平台完成粗略校準後完成的。下一步：使系統充分發揮性能。

ASML 似乎是第一家宣布使用高數值孔徑EUV 微影系統成功圖案化的公司，這對於整個半導體產業來說是一個重要的里程碑。 ASML 將僅將其Twinscan EXE:5000 用於自己的開發和完善自己的技術。

相較之下，英特爾將使用其Twinscan EXE:5000 來學習如何使用高數值孔徑EUV 微影技術來大量生產晶片。英特爾將透過其英特爾18A（1.8奈米級）製程技術將此工具用於研發目的，並計劃部署下一代Twinscan EXE：5200掃描儀在其14A（1.4奈米級）生產節點上製造晶片。

ASML 的Twinscan EXE:5200 配備0.55 NA 鏡頭，設計用於列印8 奈米解析度的晶片，這比目前EUV 工具的13 奈米解析度有了顯著改進。與低數值孔徑工具相比，此技術可透過單次曝光列印尺寸小1.7 倍的電晶體，並實現高2.9 倍的電晶體密度。

儘管低數值孔徑系統可以匹配此分辨率，但它們必須使用昂貴的雙圖案技術。實現8 奈米對於製造3 奈米以下製程晶片至關重要，這些晶片預計將於2025 年至2026 年問世。高數值孔徑EUV 技術的引入將消除對EUV 雙圖案化的需求，從而簡化生產流程，潛在地提高產量並降低成本。然而，每個高數值孔徑工具的成本高達4 億美元，並帶來了許多挑戰，這使得向領先製程技術的過渡變得複雜（將在本世紀下半葉發生）。