佳能負責新型光刻機的高層在受訪時表示，採用奈米壓印技術的佳能光刻設備FPA-1200NZ2C目標今年或明年出貨。去年10月中旬，佳能宣布推出基於奈米壓印的FPA-1200NZ2C，佳能表示，該設備採用不同於複雜的傳統光刻技術的方案，可以製造5nm晶片。

佳能表示，這套設備的工作原理和ASML的光刻機不同，並不利用光學影像投影的原理將積體電路的微觀結構轉移到矽晶圓上，而是更類似印刷技術，直接透過壓印形成圖案。

相較於目前已商用化的EUV微影技術，儘管奈米壓印技術的晶片製造速度比傳統光刻方式慢，但鎧俠在2021年就曾表示，奈米壓印技術可大幅減少耗能，並降低設備成本。

原因在於奈米壓印技術的製程較為簡單，耗電量可壓低至EUV技術的10%，並讓設備投資降至僅有EUV設備的40%。

另外，奈米壓印設備還可以使得晶片製造商降低對ASML的EUV光刻機的依賴，使得台積電、三星等晶圓代工廠可以有第二個路線選擇，可以更靈活的為客戶生產小批量晶片。

不過佳能CEO三井藤夫曾在採訪中表示，佳能可能無法將這些設備出口到中國， “我的理解是，任何超過14nm技術的出口都是被禁止的，所以我認為我們無法銷售。”