尼康宣布，將於2024年1月正式推出ArF 193奈米浸沒式微影機“NSR-S636E”，生產效率、套刻精度都會有進一步提升。據悉，尼康這款曝光機採用增強型iAS設計，可用於高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1奈米。

解析度小於38奈米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26×33毫米。

比較目前型號，它的整體生產效率可提高10-15％，創下尼康光刻設備的新高，每小時可生產280片晶圓，停機時間也更短。

尼康也表示，在不犧牲生產效率的前提下，新光刻機可在需要高重疊精度的半導體製造中提供更高的性能，尤其是先進邏輯和內存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導體製造，堪稱最佳解決方案。

另據了解，新光刻機的光源技術是20世紀90年代就已經成熟的“i-line”，再加上相關零件、技術的成熟化，價格將比競品便宜20-30％左右。

不過，目前尚不清楚尼康這款光刻機能製造多少奈米的晶片。

日本尼康、佳能與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經是光刻機三巨頭，但因為點錯了科技樹，沒有跟上阿斯麥的193奈米浸沒式光刻技術，逐漸沒落，尤其是在EUV極紫外光刻技術上毫無建樹。

為了生存，尼康、佳能基本上放棄了對尖端光刻技術的角逐，更專注於難度更低、價格更低的成熟製程光刻設備。

但他們也並非一無是處，例如佳能研發了奈米壓印技術(NIL)，無需EUV就能製造5奈米晶片。