英特爾確認將在未來CPU中使用AMD風格的3D堆疊式快取技術
英特爾在”創新2023″大會上透露了許多訊息,其中包括英特爾將在處理器中採用3D 堆疊緩存設計,走與AMD 類似的道路。這項技術不會出現在Meteor Lake 中,但會在未來的消費級和企業級CPU 中使用。 在”創新2023″大會的問答環節,英特爾執行長帕特-蓋爾辛格(Pat Gelsinger)被問及該公司是否會模仿AMD,在其3D V-Cache處理器(如Ryzen 7 7800X3D)中使用已被證明非常受歡迎的晶片堆疊方法。 「當提到V-Cache時,可以說這是一種非常特殊的技術,台積電的一些客戶也採用了這種技術。很明顯,我們的做法是不同的,對吧?」Gelsinger 透過Tom’s Hardware 說道。這位執行長表示,今年12 月上市的Meteor Lake 晶片不會採用3D V-Cache 技術,但他補充說:”在我們的路線圖中,你會看到3D 晶片的概念,我們會在一個晶片上安裝緩存,然後我們會在堆疊的晶片上實現CPU 運算。蓋爾辛格說,英特爾計劃利用其EMIB 和Foveros 工藝垂直連接晶片裸片,”因此我們感覺非常好,我們現在已經擁有下一代內存架構的先進能力”。他補充說,這項技術將用於英特爾自己的產品,也將提供給代工廠(IFS)客戶。AMD 基於台積電SoIC 技術的第二代3D V-Cache 晶片於今年稍早推出。該公司證實,Zen 4 最多使用三個節點:用於CCD 的5 奈米節點、用於IO 晶片的6 奈米節點和用於V-Cache 的7 奈米節點。該公司在3 月的ISSCC 演示中解釋了新一代產品的優勢和麵臨的一些挑戰。