三星、美光閃存先後大漲價幅度達35%客戶也接受
天風國際分析師郭明錤發文稱,繼三星在8月份漲價後,美光也將自9月開始調漲NAND Flash晶圓合約價約10%,這將有助於改善美光下半年獲利。郭明錤分析稱,DRAM方面,美光可望最快自4Q23/1Q24開始受益於三個趨勢,包括英特爾新平台Meteor Lake加速DDR5滲透率增長、AI服務器強勁需求推升HBM出貨,以及品牌與處理器廠在設備上推廣LLM有利於DDR/LPDDR規格升級。
摩根士丹利在最新報告中指出,由於NAND價格已觸底,閃存廠商群聯目前已看到來自大陸的模組與智能手機客戶需求增強,部分客戶甚至已接受了30 %至35%的價格上漲。
今年8月初,業內就傳出消息稱,三星已通知客戶,打算將512Gb NAND Flash晶圓的報價提高到1.60美元,比2023年初的1.40美元的價格上漲了約15%,這一變化最早可能在8月中旬反映在現貨市場價格中。並有兩大廠商私下證實,並表示“先前該產品1.45-1.48的美元低價位,未來不會再出現了”。
隨後在8月17日,Digitime爆料稱,國內的NAND Flash模組廠近日已暫停報價及接單,將配合原廠(三星)報價調高8~10%。此舉將有望拉動NAND Flash價格逐步回升到製造成本線。
9月3日,市場研究機構TrendForce發布報告指出,近期NAND Flash現貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動,部分品項出現較積極詢價需求。近日,日系外資也發布報告稱,DRAM 受AI服務器需求帶動,庫存水平下滑而價格上漲,NAND Flash價格已經低於供應商現金成本,未來價格下降幅度有限,預計7-9 月維持穩定,10- 12 月份開始回升。
而存儲芯片市場的企穩,主要是得益於鎧俠、美光、SK海力士、三星等頭部存儲廠商的積極減產。有業內人士爆料稱,三星已製定生產計劃,目標年底NAND Flash庫存正常化(6-8周水平)。今年年初,三星NAND Flash庫存周轉天數超過20週,最高一度飆升至28週,但最近已降至了18週。TrendForce的報告顯示,三星最初的減產幅度為25%,第四季減產可能擴大到35%。隨著這些頭部廠商的持續擴大減產,這也自然將加速存儲市場的觸底反彈。
至於模組廠,由於NAND Flash晶圓漲價已帶來成本提升壓力,模組廠近期紛紛釋出調漲終端產品的意向,主要體現在SSD產品方面,金士頓(Kingston)、Phison等模組廠近期亦回歸官方價格來進行交易,不再開放客戶另議以低價成交。
金士頓還表示,由於產品價格便宜,從8月起拒絕客戶降價,並會重建部分NAND庫存。
另外,據台媒8月31日消息,近1個月來,NAND Flash現貨價格持續小幅調升,單月漲幅約達5%,逐漸靠攏合約價。不過也有機構提醒,由於相關採購訂單是基於供應端報價調漲而湧現,是否有實際終端訂單支撐仍待觀察。
近期,康佳集團旗下存儲企業——康盈半導體創始人兼CEO馮若昊在接受芯智訊採訪時也表示,近期上游NAND Flash原廠確實在漲價,漲幅大概在10%左右,但是對於模組廠來說,想配合,但是客戶端並不一定會接受,所以客戶都還是在觀望。但是隨著上游原廠持續減產,以及一些需求的緩慢恢復,四季度隨著供應持續減少,客戶庫存消耗加速,會達到供需平衡或者供應偏緊張的情況,從而帶動整體市場對於漲價的接受。
