天風國際分析師郭明錤發文稱，繼三星在8月份漲價後，美光也將自9月開始調漲NAND Flash晶圓合約價約10%，這將有助於改善美光下半年獲利。郭明錤分析稱，DRAM方面，美光可望最快自4Q23/1Q24開始受益於三個趨勢，包括英特爾新平台Meteor Lake加速DDR5滲透率增長、AI服務器強勁需求推升HBM出貨，以及品牌與處理器廠在設備上推廣LLM有利於DDR/LPDDR規格升級。

摩根士丹利在最新報告中指出，由於NAND價格已觸底，閃存廠商群聯目前已看到來自大陸的模組與智能手機客戶需求增強，部分客戶甚至已接受了30 %至35%的價格上漲。

今年8月初，業內就傳出消息稱，三星已通知客戶，打算將512Gb NAND Flash晶圓的報價提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的價格上漲了約15%，這一變化最早可能在8月中旬反映在現貨市場價格中。並有兩大廠商私下證實，並表示“先前該產品1.45-1.48的美元低價位，未來不會再出現了”。

隨後在8月17日，Digitime爆料稱，國內的NAND Flash模組廠近日已暫停報價及接單，將配合原廠（三星）報價調高8~10%。此舉將有望拉動NAND Flash價格逐步回升到製造成本線。

9月3日，市場研究機構TrendForce發布報告指出，近期NAND Flash現貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動，部分品項出現較積極詢價需求。近日，日系外資也發布報告稱，DRAM 受AI服務器需求帶動，庫存水平下滑而價格上漲，NAND Flash價格已經低於供應商現金成本，未來價格下降幅度有限，預計7-9 月維持穩定，10- 12 月份開始回升。

而存儲芯片市場的企穩，主要是得益於鎧俠、美光、SK海力士、三星等頭部存儲廠商的積極減產。有業內人士爆料稱，三星已製定生產計劃，目標年底NAND Flash庫存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND Flash庫存周轉天數超過20週，最高一度飆升至28週，但最近已降至了18週。TrendForce的報告顯示，三星最初的減產幅度為25%，第四季減產可能擴大到35%。隨著這些頭部廠商的持續擴大減產，這也自然將加速存儲市場的觸底反彈。

至於模組廠，由於NAND Flash晶圓漲價已帶來成本提升壓力，模組廠近期紛紛釋出調漲終端產品的意向，主要體現在SSD產品方面，金士頓（Kingston）、Phison等模組廠近期亦回歸官方價格來進行交易，不再開放客戶另議以低價成交。

金士頓還表示，由於產品價格便宜，從8月起拒絕客戶降價，並會重建部分NAND庫存。

另外，據台媒8月31日消息，近1個月來，NAND Flash現貨價格持續小幅調升，單月漲幅約達5%，逐漸靠攏合約價。不過也有機構提醒，由於相關採購訂單是基於供應端報價調漲而湧現，是否有實際終端訂單支撐仍待觀察。

近期，康佳集團旗下存儲企業——康盈半導體創始人兼CEO馮若昊在接受芯智訊採訪時也表示，近期上游NAND Flash原廠確實在漲價，漲幅大概在10%左右，但是對於模組廠來說，想配合，但是客戶端並不一定會接受，所以客戶都還是在觀望。但是隨著上游原廠持續減產，以及一些需求的緩慢恢復，四季度隨著供應持續減少，客戶庫存消耗加速，會達到供需平衡或者供應偏緊張的情況，從而帶動整體市場對於漲價的接受。