去年10月，美國商務部對中國進口18納米及以下工藝的設備實施半導體限制。根據TrendForce的最新研究，儘管SK hynix的無錫工廠獲得了為期一年的生產許可，但地緣政治風險和需求疲軟仍然造成該公司在第二季度每月減少約30%的晶圓生產。

TrendForce報告稱，SK hynix曾計劃將其無錫工廠的主流工藝從1Y nm過渡到1Z nm，減少傳統工藝的產出。然而，由於美國禁令的限制，該公司轉而選擇增加其21納米生產線的份額，專注於DDR3和DDR4 4Gb產品。SK hynix的長期戰略包括將其產能擴張轉移回韓國，而無錫工廠則滿足中國國內需求和傳統工藝的消費類DRAM市場。

DDR3和DDR4 4Gb芯片在SK hynix的整體消費類DRAM出貨量中佔不到30%。然而，該公司正在擴展其傳統生產線，這意味著低密度消費類DRAM的供應將逐漸增加。對台灣供應鏈的分析顯示，南亞、華邦和PSMC（協助IC設計公司生產DRAM）都供應DDR3 4Gb；只有南亞提供大規模出貨的DDR4 4Gb。三家主要供應商和南亞的DDR3 4Gb的工藝節點約為20納米。三星目前同時為DDR4 4Gb提供20納米和1X納米的工藝節點，併計劃在2023年下半年過渡到1Z納米，在工藝結構上處於領先地位。然而，美光不提供這種特定的芯片密度，而SK hynix和南亞都在20納米左右。總的來說，其他台灣製造商主要專注於DDR3產品，他們的產品節點仍在25納米。儘管華邦和PSMC正在開發20納米工藝，但在大規模生產方面，它們仍然落後於其競爭對手。

由於早期電視庫存的消化，需求略有回升，導致SoC訂單小幅增加，但市場仍然面臨挑戰。汽車需求相對穩定，但市場規模仍然有限，網絡通信行業對芯片需求的能見度仍然很低。

TrendForce斷言，儘管DRAM供應商已經削減了消費類DRAM的產量，但考慮到庫存水平，目前的供應和去化狀況仍傾向於供過於求。因此，23年第二季度的平均價格應該會下降10-15%。從長遠來看，無錫工廠的產量增加可能會給供應商帶來額外的壓力，使消費類DRAM價格更加難反彈。