三星將推出代號為”Snowbolt”的HBM3P內存每個堆棧帶寬達5TB/s
三星電子將公佈下一代高帶寬內存,HBM3P,其代號為”Snowbolt”。Snowbolt將加入三星前幾代HBM&產品的行列,如Flarebolt、Aquabolt、Flashbolt和Icebolt。Snowbolt是三星下一代HBM3P內存的名稱,到2024年傳輸速度可達7.2Gbps。

ZDNet Korea報導,三星于2023年4月26日向專利信息搜索服務機構(KIPRIS)提交了其最新DRAM HBM3P Snowbolt的商標申請。預計它將在今年下半年發布。
Snowbolt是三星電子下一代HBM DRAM產品的品牌名稱,目前仍未決定該名稱是否用於哪一代產品。

三星電子HBM分支的前幾代產品是:
Flarebolt:第一代HBM2內存
Aquabolt: 三星電子2018年的第二代HBM2內存
Flashbolt: 該公司的第三代HBM2E內存(2020)
Icebolt: 這種HBM3內存最初是以原型階段發布的,但預計將在今年晚些時候量產

在上個月給投資者和媒體的電話會議中,引用了三星電子的發言人的話說、
我們已經向主要客戶提供了HBM2和HBM2E產品,及時提供最高性能和最高能力的產品,滿足AI市場的需求和技術趨勢,以及HBM3(16GB和12GB)。然而,24GB的產品也正在進行採樣,並且已經完成了大規模生產的準備工作。不僅是目前的HBM3,還有市場所需的性能和容量更高的下一代HBM3P產品,都在為下半年的上市做準備,其性能堪稱業界一流。這將使HBM3P的整體性能比前代產品提高10%,此外,客戶還將利用先進的高多層堆疊和內存寬度實現,預計明年HBM3P內將會出現。路線圖還顯示,到2025年,HBM3P將採用PIM(內存編程),到2026年將採用HBM4。
更多的大型科技巨頭正在利用高帶寬的內存模塊來大幅提高數據的進程,以增強機器學習的AI。在過去的幾年裡,HBM模塊的市場呈指數級增長,HBM的銷量慢慢超過了DRAM內存模塊。三家公司佔據了高帶寬內存的市場份額,SK海力士、三星電子和美光。SK Hynix佔據了50%的市場份額。三星電子緊隨SK海力士之後,佔40%,美光落到第三位,只佔剩餘的市場佔有率的10%。