三星電子正在與台積電就3納米的芯片製造訂單展開激烈的競爭，這是三星電子在基於FinFET的節點近十年後，首次採用GAA-FET技術的半導體代工節點。3納米GAA-FET節點SF3將在今年晚些時候進入大規模生產。

三星聲稱，在該節點的開發階段，晶圓產量在60-70%之間。這個數字對於吸引客戶至關重要，因為他們的晶圓訂單首先是基於產量，其次才是每片晶圓的成本。

在2022年關於其工程部門向客戶”編造”良率數字以贏得他們的業務的爭議之後，三星正試圖在芯片設計者中重建信心。

三星還表示，由於2023-2024年將由3納米級節點，即SF3（3GAP）及其改進版SF3P（3GAP+）主導，該公司將在2025-2026年開始引入其2納米級節點。

目前、三星的3納米節點的客戶包括未命名的HPC處理器設計者和一個移動AP（應用處理器）設計者。