英特爾公司自營半導體工廠- 英特爾代工服務宣布，其2納米級的英特爾20A和1.8納米級的英特爾18A代工節點已經完成開發，並有望在其路線圖日期量產芯片。預計英特爾20A節點的芯片將於2024年上半年開始量產，而英特爾18A節點的芯片預計將於2024年下半年開始量產。

開發階段的完成意味著英特爾已經敲定了節點的規格和性能/功率目標，以及製造芯片所需的工具和軟件，現在可以開始訂購物料以構建節點。

直到2022年，英特爾一直在對這些節點進行測試，隨著規格的最終確定，芯片設計者可以相應地結束其產品的開發，以配合這些節點所能提供的服務。

英特爾20A（或20-angstrom，或2納米）節點引入了帶有PowerVIAs（一種有助於提高晶體管密度的互連創新）的全門（GAA）RibbonFET晶體管。英特爾20A節點據稱比其前身英特爾3節點（FinFET EUV，3納米級）具有15%的性能/瓦特提升，其本身比英特爾4節點具有18%的性能/瓦特提升（比目前的英特爾7節點具有20%的性能/瓦特提升），該節點即將進入大規模生產。

英特爾18A節點是對英特爾20A的進一步完善，對RibbonFET進行了設計改進，在規模上提高了晶體管密度，據稱比英特爾20A有10%的性能/瓦特提升。