三星電子今天宣布開發出採用業界首個12納米（nm）級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM，並完成了與AMD兼容的產品評估。這一技術飛躍是通過使用增加單元電容的新型高κ材料，以及改善關鍵電路特性的專有設計技術實現的。結合先進的多層極紫外光（EUV）光刻技術，新的DRAM具有業界最高的芯片密度，從而使晶圓生產力提高了20%。

利用最新的DDR5標準，三星的12納米級DRAM將有助於釋放每秒7.2Gbps的速度。這相當於在一秒鐘內處理兩部30GB的UHD電影。

與新DRAM的速度相匹配的是更高的電源效率，與之前的DRAM相比，12納米級DRAM的功耗降低了23%。

三星電子DRAM產品和技術執行副總裁Jooyoung Lee對此表示：”12納米級DRAM將成為推動DDR5 DRAM在市場上廣泛採用的關鍵因素。憑藉卓越的性能和電源效率，預計我們的新DRAM將成為下一代計算、數據中心和人工智能驅動系統等領域更可持續的運營基礎。”

“創新往往需要與行業夥伴密切合作，以推動技術的發展，” AMD高級副總裁、企業研究員和客戶、計算和圖形首席技術官Joe Macri說。”我們很高興能再次與三星合作，特別是在推出在”Zen”平台上優化和驗證的DDR5內存產品方面。”

隨著2023年開始量產，三星計劃將基於這種尖端的12納米級工藝技術的DRAM陣容擴大到廣泛的細分市場。