到目前為止，製造商不得不使用GDDR6內存的替代版本作為權宜之計，同時等待GDDR7的到來，在帶寬上實現真正的世代飛躍。三星在其完成這一任務的計劃中透露了一塊重要的拼圖。公司最近證實，GDDR7內存會使用PAM-3信號（脈衝振幅調製3級），這將有助於它為未來的顯卡提供兩倍於GDDR6的數據速率。

典型的GDDR6 RAM，我們在AMD新的Radeon RX 7000系列中可以看到，使用NRZ（不歸零）信令來實現14至24Gbps的數據速率，它可以攜帶編碼為0或1值的信號，每週期1比特。

最近的GPU，如NVIDIA的RTX 4000系列開始轉移到GDDR6X，速度稍快，為18-23Gbps。他們使用PAM-4來實現這一點，其值為0、1、2或3時，每週期可達到2位。

三星在10月份的技術日會議上確認GDDR7的帶寬將達到36Gbps，但最近透露它將通過PAM-3達到這一目標，這實現了NRZ和PAM-4之間的平衡。

PAM-3使用-1、0和1的值來實現每兩個週期3個比特，或每週期1.5比特。它的能效比NRZ高25%，帶寬更高，但對設備的要求比PAM-4低，使其更便宜。英特爾的Thunderbolt 5電纜也使用PAM-3信令，提供80Gbps的帶寬–是Thunderbolt 4的兩倍。

三星最近還宣布了另一種GDDR6替代品- GDDR6W以對抗HBM2內存。該公司將HBM2作為可能的GDDR6繼任者，擁有更大的帶寬和更高的速度，但它在AMD的Vega系列顯卡中的實施並不成功，促使AMD回歸GDDR6。

GDDR6W的帶寬遠遠優於GDDR6，與HBM2相似。此外，它可以支持與現有GDDR6產品相同的生產工藝。三星的公告沒有回答任何關於GDDR7可能何時亮相的問題，但是AMD和NVIDIA可能在過渡到GDDR7之前為其下一個系列的顯卡選擇GDDR6W。

三星的演示幻燈片揭示了GDDR7的PAM-3，還提到了其他新的DRAM技術，如T-Coul和多路等級DIMM（MRDIMM），T-Coil可以大幅提高IO速度，而MRDIMM可以使容量翻倍。