功耗降低50% 三星3nm工藝良率改善中
最近一段時間,三星的新工藝負面新聞不斷,之前有傳聞稱良率只有35%,嚇跑了NVIDIA及高通等客戶,不過三星一直否認,現在又有報導稱3nm工藝已經量產,最關鍵的良率也在改善中。這個喜訊是三星管理層向董事會報告的,顯示了三星對3nm工藝的信心,表示良率已經改善,但是現在依然沒有具體的細節洩露出來了。
此前的三星公佈了2022年Q1季度財報會議,三星官方也否認了傳聞中的良率不行的傳聞。
三星表示,5nm工藝已經進入成熟階段,還在擴大服務,4nm工藝雖然良率提升過程出現了延遲,但已經進入了預定的良率曲線,未來的3nm工藝還在準備設立一條新的研發生產線。
對三星來說,3nm節點是他們押注芯片工藝赶超台積電的關鍵,因為台積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術,三星的3nm節點就會啟用GAA技術,這是一種新型的環繞柵極晶體管,通過使用納米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。
根據三星的說法,與7nm製造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。