根據最新傳言，芯片設計者英特爾公司的18A半導體製造技術計劃提前投入使用。該公司目前正在花費巨資，以恢復和擴大其芯片製造。這是英特爾首席執行官帕特里克格辛格先生去年宣布的戰略的一部分，該公司計劃通過該戰略向市場推出新的製造技術，並擴大生產，也允許其他公司向英特爾提交他們的設計進行製造。

作為這一戰略的一部分，該芯片製造商的目標是每年推出一項新的製造技術，其英特爾4技術預計將在今年晚些時候進入工廠車間。然而，半導體製造市場的競爭非常激烈，英特爾的主要競爭對手台灣半導體製造公司（TSMC）已經制定了若干先進工藝技術的計劃，最終達到2nm半導體製造節點。

今天的傳言稱，英特爾對台積電2nm技術的回應，即英特爾18A節點，據稱准備提前投產。它援引行業內的消息來源稱，這項技術將比預期提前進入生產。如果傳言成真，英特爾和台積電在2nm生產方面將不相上下

英特爾的技術路線圖是在去年7月公佈的，它概述了五種新的製造技術。它還對這些技術進行了重新命名，以使其與台積電提供的產品保持一致。在重塑品牌之前，英特爾的技術被認為是比台灣公司提供的技術更上一層樓。例如，在更名之前，當提及兩種工藝所打印的晶體管的關鍵尺寸時，台積電的7nm工藝節點被認為在理論上等同於英特爾的10nm工藝，。

這家美國公司的技術路線圖列出了新命名的英特爾10、英特爾7、英特爾4、英特爾3、英特爾20A和英特爾18A製造工藝。在這些工藝中，18A是最先進的工藝，當時英特爾概述了這項技術將在2025年下半年投入生產。

現在，根據EET-China和ITHome分享的據稱來自業界的報告，18A節點，相當於1.8nm，將在2024年下半年進入生產，比計劃提前6個多月。如果傳言最後成真，那麼當涉及到後者的可比2nm芯片製造工藝時，英特爾將與台積電並駕齊驅。台積電首席執行官發言表明，該公司預計該技術將在2025年進入大規模生產。這與英特爾對18A節點的官方時間表相吻合。

2020年出現的傳言顯示，台積電可能用於2nm的多橋通道場效應（MBCFET）晶體管可以在2024年進入生產。MBCFET晶體管通過給晶體管增加更多的傳導區域，擴大了大多數公司目前使用的FinFET設計。然而芯片製造商目前正專注於3nm製造工藝，三星晶圓廠和台積電都在為大規模生產而努力。英特爾的英特爾4工藝位於其競爭對手的5nm和3nm節點之間，定於在今年下半年進入生產。