3億美元單價翻倍 ASML下一代EUV光刻機提前量產
在上月的ITF大會上,半導體行業大腦imec(比利時微電子研究中心)公佈的藍圖顯示,2025年後晶體管進入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1納米),其中2025對應A14(14Å=1.4納米),2027年為A10(10Å=1nm)、2029年為A7(7Å=0.7納米)。
當時imec就表示,除了新晶體管結構、2D材料,還有很關鍵的一環就是High NA(高數值孔徑)EUV光刻機。 其透露,0.55NA的下代EUV光刻機一號試做機(EXE:5000)會在2023年由ASML提供給imec,2026年量產。
不過,本月與媒體交流時,ASML似乎暗示這個進度要提前。 第一台高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問,2024年到2025年開放給客戶進行研發並從2025年開始量產。
據悉,相較於當前0.33NA的EUV光刻機,0.55NA有了革命性進步,它能允許蝕刻更高解析度的圖案。
分析師Alan Priestley稱,0.55NA光刻機一台的價格會高達3億美元(約合19億),是當前0.33NA的兩倍。
早在今年7月,Intel就表態致力於成為高NA光刻機的首個客戶,Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法,並將高NA EUV光刻機視為一次重大技術突破。