Intel今天宣佈了全新的工藝路線圖，一個最核心的變化就是改名：10nm Enhanced SuperFin改名為Intel 7，7nm改名為Intel 4，未來還有Intel 3，以及全新晶體管架構的Intel 20A、Intel 18A。 Intel表示，此前的工藝節點命名規則始於1997年，都是以實際的柵極寬度來定義（xxnm），但是近些年來，工藝命名和柵極寬度已經不匹配，因此Intel啟用了新的命名方式，便於產業、客戶、消費者理解。

Intel 7工藝號稱能耗比相對於10nm SuperFin提升大約10-15%，今年底的Alder Lake 12代酷睿首發，明年第一季度還有Sapphire Rapids四代可擴展至強。

Intel 4工藝全面引入EUV極紫外光刻，能效比再提升大約20%，明年下半年投產，2023年產品上市。

首發消費級產品是Meteor Lake，已在今年第二季度完成計算單元的六篇，數據中心產品則是Granite Rapids。

Meteor Lake預計將隸屬於14代酷睿家族，它之前還有一代Raptor Lake，後者也是Intel 7工藝。

今天的會議上，Intel也首次展示了Meteor Lake的測試晶圓，除了新工藝還有Foveros 3D立體封裝。

這一代，也將是Intel消費級處理器第一次放棄完整的單顆晶元，引入不同工藝、不同IP的模組，藉助新的封裝技術，整合在一起。

再往後，Intel 3工藝進一步優化FinFET、提升EUV，能效比繼續提升大約18%，還有面積優化，2023年下半年投產。

它也是最後一代FinFET晶體管，2011年的22nm二代酷睿Ivy Bridge第一次引入。

之后就是后纳米时代了，工艺命名又改了新的规则，首先是Intel 20A，拥有两项革命性技术，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。2024年投产。

接下来是Intel 18A，预计2025年初投产，继续强化RibbonFET，还有下一代高NA EUV光刻，与ASML合作。

RibbonFET晶體管

PowerVia

傳統晶圓（左）、Powervia晶圓（右）供電和信號走線對比：圖片上方對應晶圓前側