作為半導體工業中的核心，芯片製造是最關鍵也是最難的，進入10nm 節點之後全球現在也就是台積電、Intel、 三星三家公司選擇繼續玩下去。表面來看Intel 的進度是最慢的，然而其他兩家的工藝“水分”也不小，三星的3nm 工藝密度才跟Intel 的7nm 差不多。

Digitimes日前發表了研究報告，分析了三星、台積電、Intel及IBM四家的半導體工藝密度問題，對比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情況。

在10nm 節點，三星的晶體管密度只有0.52 億/mm2， 台積電是0.53 億/mm2，Intel 已經達到了1.06 億/mm2， 密度高出一倍左右。

7nm 節點，三星的工藝密度是0.95 億/mm2， 台積電是0.97 億/mm2，Intel 的7nm 則是1.8 億/mm2， 依然高出80% 以上。

再往後的5nm 節點上，三星實現了1.27 億/mm2 的密度，台積電達到了1.73 億/mm2，Intel 的目標是3 億/mm2， 三星與其他兩家的差距愈發拉大。

到了3nm 節點，台積電的晶體管密度大約是2.9 億/mm2， 三星只有1.7 億/mm2，Intel 的目標是5.2 億/mm2。

2nm 節點沒多少數據，IBM 之前聯合三星等公司發布的2nm 工藝密度大約是3.33 億/mm2， 台積電的的目標是4.9 億/mm2。

以上數據其實不能100% 反映各家的技術水平，還要考慮到性能、功耗、成本的差距，但就摩爾定律關注的密度來看，Intel 在這方面基本還是按照之前的規範走的，三星、台積電工藝宣傳注水也不是什麼新聞了。

當然，三星這方面的浮誇可能更多一些，3nm 節點的密度也不過是Intel 的7nm 水平，Intel 的5nm 工藝都能夠直逼IBM 2nm 水平，不知道這該說Intel 太老實還是其他公司太滑頭呢？